تربط المقاومة الخطية الجهد بالتيار، ويخزن المكثف شحنة وطاقة؛ يتغير تيار الثنائي مع الانحياز، ويستخدم الترانزستور للتبديل أو التضخيم. [1][2][3]
الخلاصة السريعة
تربط المقاومة الخطية الجهد بالتيار، ويخزن المكثف شحنة وطاقة؛ يتغير تيار الثنائي مع الانحياز، ويستخدم الترانزستور للتبديل أو التضخيم. [1][2][3]
- للمقاومة الخطية V=IR، وتقاس المقاومة بالأوم؛ يتحدد التيار بفرق الجهد والمقاومة معًا. [1]
- سعة المكثف C=Q/V بالفاراد؛ طاقته U=½CV² بالجول، فلا تتساويان. [1]
- الثنائي الحقيقي له تيار تسرب عكسي وحدود انهيار؛ لا يوقف كل تيار عكسي تحت كل جهد. [2]
- منطقة الاستنزاف في وصلة PN تقل فيها الحوامل المتحركة، لكنها تحتوي شحنات ثابتة من التطعيم المتأين. [4]
- NPN و PNP نوعان من BJT ذي الباعث والقاعدة والمجمع. مثال MOSFET من FET له بوابة ومصدر ومصرف وجسم. [2] سهم الباعث للخارج في NPN وللداخل في PNP. [2]
- يعمل الترانزستور للتبديل أو التضخيم بحسب الدائرة. والرمز وحده لا يحدد ترتيب الأرجل أو حدود قطعة فعلية. [2][3]
- مع ثبات السعة في المكثف الخطي، مضاعفة الجهد تضاعف الشحنة وتجعل الطاقة أربعة أمثالها. [1]
المقاومة: العلاقة بين الجهد والتيار
للمقاومة الخطية V=IR: عند 3 V و 1 kΩ يكون التيار 3 mA. يتوقف الحساب على الجهد والمقاومة المحددين. [1]
حدد مكان القياس وقيمة العنصر واتصاله قبل إجراء الحساب.
المكثف: فرّق بين السعة والشحنة والطاقة
Q=CV؛ الفاراد كولوم/فولت. للوحي المكثف شحنتان متعاكستان متساويتان مقدارًا، والطاقة في المجال. [1]
لمكثف خطي 100 µF: عند 3 V تكون الشحنة 300 µC والطاقة 0.00045 J؛ وعند 6 V تصبح 600 µC و 0.0018 J. تتضاعف الشحنة وتصبح الطاقة أربعة أمثالها. [1]
هذا نموذج افتراضي، ولا يوصي بتغيير جهد قطعة فعلية. راجع بياناتها قبل الاستعمال.
الثنائي: الاتجاه لا يعني ضمانًا مطلقًا
يميز الثنائي بين الانحياز الأمامي والعكسي. تظهر مواصفات الثنائي الحقيقي تيار تسرب عكسي وجهد انهيار، ولهذا لا يطابق دائمًا نموذج مفتاح مثالي مغلق في اتجاه ومفتوح في الآخر. [2]
وفي وصلة PN تعني منطقة الاستنزاف انخفاض تركيز الحوامل المتحركة؛ لا تعني اختفاء كل الشحنات. تبقى شحنات ثابتة من ذرات التطعيم المتأينة في التقريب المستخدم. [4]
الترانزستور: الوظيفة والعائلة والأطراف
تشمل استخدامات الترانزستورات التبديل والتضخيم. أما NPN و PNP فهما نوعان من الترانزستور ثنائي القطبية BJT؛ وتسمى أطرافه الباعث والقاعدة والمجمع. [2][3]
في الرمز، سهم الباعث للخارج في NPN وللداخل في PNP. [2]
في عائلة FET، يبين مثال MOSFET البوابة والمصدر والمصرف والجسم؛ وقد يتصل الجسم داخليًا بالمصدر. NPN و PNP ليسا من FET. [2]
ولا يستنتج ترتيب أرجل قطعة حقيقية من شكل الرمز وحده. استخدم الرسم لفهم الوظيفة، ثم ارجع إلى بيانات الجزء المحدد لمعرفة توصيلاته وحدوده.
المصادر ومتابعة القراءة
- MIT6.013 Electromagnetics and Applications، فصل 3 — صفحات 1 و 2 و 4 و 6 من ملف PDF، المقاومة والمكثف (يفتح في نافذة جديدة)ocw.mit.edu
- MIT2.996، Hong Ma2007، محاضرة 3 — صفحات 2 و 4 و 20 و 23 من ملف PDF، الثنائيات و BJT و MOSFET (يفتح في نافذة جديدة)ocw.mit.edu
- MIT2.996، محاضرة 1 — صفحة 18 من ملف PDF، الترانزستورات للتبديل والتضخيم (يفتح في نافذة جديدة)ocw.mit.edu
- MIT2.627، Buonassisi، Diodes in the Dark — صفحة 60 من ملف PDF، تقريب منطقة الاستنزاف (يفتح في نافذة جديدة)ocw.mit.edu
أُعدّ هذا المقال بصياغة عربية أصلية بالاستناد إلى المصادر أعلاه، وهو مدخل تمهيدي إلى الموضوع. اقرأ منهجية المحتوى وحدوده.